Studijní text (částečně stejný pro úlohy 5 a 15)

1. Na internetu najděte katalogové listy všech optoelektronických součástek, které budete v úloze používat, konkrétní měřené součástky vybere vyučující. Parametry důležité ke splnění pracovních úkolů vypište a přiložte do zápisu z měření.
2. Změřte voltampérovou a světelnou charakteristiku připravené luminiscenční diody v propustném směru. Grafy vytvořte v praktiku, jsou povinnou součástí zápisu z měření.
3. Ze změřené V-A charakteristiky určete statický odpor R_d, dynamický odpor R_di, hodnotu konstanty n a prahové napětí U^*. Určete, z jakého materiálu je dioda zhotovena. Nezapomeňte na graf ln(I_F) vs. U_F.
4. Změřte charakteristiky fototranzistoru při třech různých hladinách osvětlení. Měření proveďte pomocí pikoampérmetru s vestavěným zdrojem Keithley s funkcí ukládání dat do paměti přístroje. Povinnou součástí zápisu z měření jsou grafy naměřených charakteristik, tabulky do protokolu netiskněte.
5. Změřte zisk fototranzistoru při třech různých hladinách osvětlení a jednom napětí U_CE.

Základní vztahy a klíčová slova:

polovodič, energetické pásové schema polovodiče,valenční, vodivostní a zakázaný pás, PN přechod v polovodiči, Fermiho hladina, luminiscenční dioda, elektroluminiscenční jev, VA charakteristika, světelná charakteristika, fotoelektrický jev, fototranzistor PNP, NPN

Pokyny k měření

Pokyny k měření pikoampérmetrem (Návod k ovládání je vytištěn u úlohy.)