Základní fyzikální praktikum

... vše o fyzikálním praktiku najdete právě na těchto stránkách
UKMFFKVOF

Uživatelské nástroje

Nástroje pro tento web


zadani:305

Toto je starší verze dokumentu!


(5) Charakteristiky optoelektronických součástek

Pracovní úkol

  1. Změřte voltampérové a světelné charakteristiky připravených luminiscenčních diod v propustném směru a určete, z jakého materiálu jsou jednotlivé diody zhotoveny. Naměřené charakteristiky zpracujte graficky. Nezapomeňte na graf ln(IF) vs. UF.
  2. Ze změřených V-A charakteristik určete pro jednotlivé diody statický odpor Rd, dynamický odpor Rdi, hodnotu konstanty n a prahové napětí U*.
  3. Změřte charakteristiky fototranzistoru při třech různých hladinách osvětlení.
  4. Určete zisk fototranzistoru.

Základní vztahy a klíčová slova:

polovodič, energetické pásové schema polovodiče,valenční, vodivostní a zakázaný pás, PN přechod v polovodiči, Fermiho hladina, luminiscenční dioda, elektroluminiscenční jev, VA charakteristika, světelná charakteristika, fotoelektrický jev, fototranzistor PNP, NPN

Pokyny k měření

Pokyny k měření pikoampérmetrem

zadani/305.1383576068.txt.gz · Poslední úprava: 4.11.2013 15:41 autor: Kudrnová Hana Mgr.