Studijní text

1. Pro sériový RLC obvod v periodickém stavu změřte závislost doby kmitu T na velikosti zařazené kapacity pro pět hodnot z intervalu (C = 0,5 - 10 μF, R = 20 Ω). Výsledky měření zpracujte graficky přímo v praktiku a vyhodnoťte velikost indukčnosti L zařazené v obvodu.

2. Stanovte hodnoty aperiodizačních odporů pro pět hodnot kapacit zařazeného kondenzátoru (C = 0,5 - 10 μF). I v tomto případě výsledky měření zpracujte graficky přímo v praktiku a stanovte velikost indukčnosti L zařazené v obvodu.

3. Změřte závislost relaxační doby sériového obvodu RC na velikosti odporu nebo na velikosti kapacity v obvodu. Výsledky měření zpracujte graficky přímo v praktiku a porovnejte s teoretickými.

4. Při měření v 1. pracovním bodě (měření sériového RLC obvodu v periodickém stavu) uložte jednu naměřenou křivku časového průběhu napětí na odporu do PC.

5. Při měření v 2. pracovním úkolu (měření sériového RLC obvodu v mezním aperiodickém stavu) uložte jednu naměřenou křivku časového průběhu napětí na odporu do PC.

6. Vyndejte jádro cívky a proveďte jedno měření jako v 1. a jedno jako ve 2. pracovním úkolu (měření sériového RLC obvodu v periodickém stavu a mezně aperiodickém stavu), uložte naměřené křivky časového průběhu napětí na odporu do PC.

7. Průběhy napětí naměřené v bodech 4, 5, 6 fitujte teoretickou závislostí a získané parametry fitu porovnejte s teoretickými hodnotami. Diskutujte rozdíly.

Pokyny k měření

Ovládání programu ISES

Základní vztahy a klíčová slova:

RLC obvod, přechodový jev, aperiodizační odpor, relaxační doba

• Ad.1 Měřte pro C = 0,5 – 10 μF a R = 20 Ω. Nastavení ISES: R = 20 Ω, vzorkovací frekvence: 10000 Hz, start měření: trigger, napětí: 3 - 5 V, voltmetr zapojen do vstupu A, rozsah voltmetru 1 V nebo 10 V.
• Ad.2 Měřte pro C = 0,5 – 10 μF. Nastavení ISES: vzorkovací frekvence: 10000 Hz, start měření: trigger, napětí: 3 - 5 V, voltmetr zapojen do vstupu A, rozsah voltmetru 10 V
• Ad.3 Měřte pro jednu hodnotu C a pět hodnot R nebo naopak pro jednu hodnotu R a pět hodnot C tak, aby R bylo v rozsahu R = 1 – 10 kΩ a C bylo v rozsahu C = 0,5 – 10 μF

Fotodokumentace k úloze