Základní fyzikální praktikum

... vše o fyzikálním praktiku najdete právě na těchto stránkách
UKMFFKVOF

Uživatelské nástroje

Nástroje pro tento web


zadani:u_315

Toto je starší verze dokumentu!


(15) Studium polovodičového GaAs/GaAlAs laseru

Pracovní úkol

  1. Změřte současně světelnou i voltampérovou charakteristiku polovodičového laseru. Naměřené závislosti zpracujte graficky. Stanovte prahový proud i0.
  2. Pomocí Hg výbojky okalibrujte stupnici monochromátoru SPM 2.
  3. Změřte emisní spektrum polovodičového laseru při několika hodnotách proudu laserem pod a nad odhadnutou prahovou hodnotou i0. Určete vlnovou délku stimulované emise a kvalitativně diskutujte změny ve spektrech provázející změnu napájecího proudu.
  4. Z modové struktury emisního spektra laseru určete délku aktivní oblasti rezonátoru. Diskutujte, proč je volena velmi úzká štěrbina monochromátoru.
  5. Určete výkonovou účinnost laseru pro vybranou hodnotu proudu v nadprahové oblasti.
  1. Změřte světelnou charakteristiku polovodičového laseru. Současně změřte voltampérovou charakteristiku v proudovém rozmezí 0-118 mA. Naměřené závislosti zpracujte graficky. Stanovte prahový proud I0.
  2. Pomocí rtuťové výbojky okalibrujte stupnici monochronmátoru.
  3. Změřte emisní spektrum polovodičového laseru při 80 a 115 mA proudu laserem. Určete vlnovou délku stimulované emise a diskutujte kvalitativní změny na spektrech při změně napájecího proudu.
  4. Určete výkonovou účinnost laseru pro i = 115 mA.

Základní vztahy a klíčová slova:

pásová energetická struktura polovodiče, PN (NP) přechod, závěrný (propustný) směr, injekce PN (NP) přechodu, spontánní a stimulovaná emise, rezonátor, modová struktura záření

Pokyny k měření

Návod k programu

zadani/u_315.1383829699.txt.gz · Poslední úprava: 7.11.2013 14:08 autor: Kudrnová Hana Mgr.