Základní fyzikální praktikum

... vše o fyzikálním praktiku najdete právě na těchto stránkách
UKMFFKVOF

Uživatelské nástroje

Nástroje pro tento web


zadani:315

Toto je starší verze dokumentu!


(15) Studium polovodičového GaAs/GaAlAs laseru

Studijní text (částečně stejný pro úlohy 5 a 15)

Pracovní úkol

  1. Změřte současně světelnou i voltampérovou charakteristiku polovodičového laseru. Naměřené závislosti zpracujte graficky. Stanovte prahový proud i0.
  2. Pomocí Hg výbojky okalibrujte stupnici monochromátoru SPM 2. Diskutujte, proč je volena velmi úzká štěrbina monochromátoru.
  3. Změřte emisní spektrum polovodičového laseru při několika hodnotách proudu laserem pod a nad odhadnutou prahovou hodnotou i0. Určete vlnovou délku stimulované emise a kvalitativně diskutujte změny ve spektrech provázející změnu napájecího proudu.
  4. Při jedné nadprahové hodnotě proudu laserem změřte emisní spektrum polovodičového laseru při různých teplotách laseru. Vyhodnoťte teplotní závislost vlnové délky stimulované emise a výstupního výkonu.
  5. Určete výkonovou účinnost laseru pro vybranou hodnotu proudu v nadprahové oblasti.

Nepovinný pracovní úkol:

6. Z modové struktury emisního spektra laseru určete délku aktivní oblasti rezonátoru.

Základní vztahy a klíčová slova:

pásová energetická struktura polovodiče, PN (NP) přechod, závěrný (propustný) směr, injekce PN (NP) přechodu, spontánní a stimulovaná emise, rezonátor, modová struktura záření

Pokyny k měření

Návod k programu

zadani/315.1432717249.txt.gz · Poslední úprava: 27.05.2015 11:00 autor: Kudrnová Hana Mgr.