VĂ˝stupnĂ napÄtĂ u funkÄnĂch mÄniÄĹŻ nenĂ pĹĂmo ĂşmÄrnĂŠ, pĹĂpadnÄ lineĂĄrnÄ zĂĄvislĂŠ na vstupnĂm signĂĄlu, ale je jeho nelineĂĄrnĂ funkcĂ. FunkÄnĂ mÄniÄ si mĹŻĹžeme pomocĂ operaÄnĂho zesilovaÄe realizovat pomocĂ nelineĂĄrnĂho prvku v roli vstupnĂho odporu obr. 5.5. Pak:
a jestliĹže zanedbĂĄme vstupnĂ odpor zesilovaÄe, platĂ:
a .
JelikoĹž Ei< < Eo a Ei < < E1
je pak
a napÄtĂ na vĂ˝stupu zapojenĂ je tedy toutĂŠĹž funkcĂ f napÄtĂ vstupnĂho jakou je proud funkcĂ napÄtĂ u pouĹžitĂŠho nelineĂĄrnĂho prvku.
InverznĂ funkci k funkci f mĹŻĹžeme realizovat zapojenĂm nelineĂĄrnĂho Älenu do obvodu zpÄtnĂŠ vazby; pak platĂ (obr. 5.6):
a je tedy . (5.8)
JestliĹže napĹĂklad chceme realizovat logaritmujĂcĂ nebo exponenciĂĄlnĂ zesilovaÄe, mĹŻĹžeme pouĹžĂt jako nelineĂĄrnĂho Älenu polovodiÄovĂŠ diody nebo tranzistoru v tak zvanĂŠm diodovĂŠm zapojenĂ. Odpor RE na obr. 5.7b slouŞà k nastavenĂ proudovĂŠho zesĂlenĂ tranzistoru T a kapacita C jako malĂĄ integraÄnĂ kapacita k frekvenÄnĂ stabilizaci obvodu. Proud polovodiÄovou diodou mĂĄ exponenciĂĄlnĂ zĂĄvislost
kde Ido je
zbytkovĂ˝ proud diodou v zĂĄvÄrnĂŠm smÄru, Ur je tzv. tepelnĂŠ napÄtĂ, (k je Boltzmannova konstanta, Q teplota diody, q elementĂĄrnĂ
nĂĄboj), Uo napÄtĂ
na diodÄ, a n je konstanta danĂĄ konstrukcĂ diody
(n = 1 aĹž 0,5). Pro
napÄtĂ na diodÄ, pro nÄĹž
, je pro zapojenĂ na obr.5.7a zĂĄvislost
vĂ˝stupnĂho
napÄtĂ na napÄtĂ vstupnĂm podle vztahu (5.8) logaritmickĂĄ. JestliĹže pouĹžijeme tranzistorovĂŠ zapojenĂ podle obr.5.2.3.b pak Ucb @ 0 a pro kolektorovĂ˝ proud platĂ vztah
kde a 1 je koeficient proudovĂŠho zesĂlenĂ nakrĂĄtko tranzistoru v zapojenĂ se spoleÄnou bĂĄzĂ, aN je koeficient proudovĂŠho zesĂlenĂ nakrĂĄtko v tak zvanĂŠm inverznĂm zapojenĂ (emitor a kolektor si vymÄnĂ funkci), UEB je napÄtĂ emitor bĂĄze a Ico zbytkovĂ˝ proud tranzistorem, n je konstanta zĂĄvislĂĄ na konstrukci tranzistoru (obvykle n = 1).
Pro napÄtĂ UEB, pro nÄĹž platĂ
,
mĹŻĹžeme rovnici (5.2.8) pĹepsat na tvar
,
kde
a vĂ˝stupnĂ napÄtĂ zesilovaÄe na obr. 5.7b je podle vztahu (5.8) logaritmickou funkcĂ napÄtĂ vstupnĂho.
U logaritmickĂ˝ch zesilovaÄĹŻ uĹžĂvajĂcĂch kĹemĂkovĂ˝ch diod mĹŻĹže hodnota Ido dosĂĄhnout hodnoty menĹĄĂ neĹž 10-9 A, zatĂmco u zapojenĂ s tranzistorem v diodovĂŠm zapojenĂ (obr. 5.7b), mĹŻĹže proud Ic bĂ˝t menĹĄĂ neĹž 10-11 A a kolektorovĂ˝ proud je ĂşmÄrnĂ˝ logaritmickĂŠ funkci pĹes devÄt dekĂĄd.
ZapojenĂ na obr. 5.7a,b majĂ nevĂ˝hodu v silnĂŠ tepelnĂŠ zĂĄvislosti jejich zesilovacĂ charakteristiky. Ta je zpĹŻsobena zĂĄvislostĂ zbytkovĂŠho proudu a tepelnĂŠho napÄtĂ na teplotÄ. PĹi zmÄnÄ teploty PN pĹechodu ze 20° C na 50° C se u tranzistoru zbytkovĂ˝ proud zmÄnĂ pĹibliĹžnÄ o ĹĂĄd a tepelnĂŠ napÄtĂ asi o 10 %. Z tÄchto dĹŻvodĹŻ se pouĹžĂvajĂ rĹŻznĂĄ kompenzaÄnĂ zapojenĂ. PĹĂklad kompenzaÄnĂho zapojenĂ logaritmujĂcĂho zesilovaÄe je uveden na obr. 5.8.
NapÄtĂ na vĂ˝stupu Eo je v tomto pĹĂpadÄ rovno
LineĂĄrnĂ zĂĄvislost vĂ˝stupnĂch napÄtĂ Ro na Ur mĹŻĹžeme do jistĂŠ mĂry kompenzovat napĹĂklad vhodnĂ˝m teplotnÄ zĂĄvislĂ˝m odporem R4. (TeplotnĂ zĂĄvislost odporu by mÄla bĂ˝t rostoucĂ cca 0,3% K-1.)
Tepelnou nezĂĄvislost
zesilovacĂ charakteristiky zapojenĂ na obr.5.7a,b mĹŻĹžeme
rovnÄĹž docĂlit umĂstÄnĂm zpÄtnovazebnĂho polovodiÄovĂŠho
prvku v termostatu.
DalĹĄĂm funkÄnĂm mÄniÄem, kterĂ˝ si popĂĹĄeme, je diodovĂ˝
funkÄnĂ mÄniÄ. PouĹžitĂ diodovĂŠho funkÄnĂho mÄniÄe je
znaÄnÄ rozĹĄĂĹeno vzhledem ke stabilitÄ jeho zesilovacĂ
charakteristiky a prakticky jejà nezåvislosti na tepelných
zmÄnĂĄch.
DiodovĂŠ mÄniÄe obsahujĂ vÄtĹĄĂ poÄet zĂĄkladnĂch
diodovĂ˝ch obvodĹŻ a vĂ˝slednĂĄ charakteristika je urÄena
souhrnem dĂlÄĂch charakteristik jednotlivĂ˝ch zĂĄkladnĂch
diodovĂ˝ch obvodĹŻ. ZĂĄkladnĂ diodovĂ˝ obvod je znĂĄzornÄn na
obr. 5.9.
SumaÄnĂ bod je na potenciĂĄlu virtuĂĄlnĂ nuly. Diodou D1 teÄe proto proud pouze v tÄch pĹĂpadech, pro kterĂŠ je napÄtĂ v bodÄ A kladnĂŠ.
Pro UA = 0 platĂ pro vztah mezi vstupnĂm napÄtĂm a napÄtĂm pomocnĂŠ baterie Eb rovnice:
(5.9)
To znamenĂĄ, Ĺže jen pro ta vstupnĂ napÄtĂ pro nÄĹž
teÄe diodou D1 proud (zanedbĂĄvĂĄme zbytkovĂŠ napÄtĂ na diodÄ v propustnĂŠm smÄru). Velikost proudu diodou D1 je dĂĄna vĂ˝razem
a napÄtĂ na vĂ˝stupu zesilovaÄe je pak ĂşmÄrnĂŠ proudu iD1
E0Â =Â -iD1R0.
Na zesilujĂcĂ charakteristice zesilovaÄe se pak pro vstupnĂ napÄtĂ E1, kterĂŠ je urÄeno vztahem (5.9) vytvĂĄĹĂ zlom (viz obr. 5.10).
Na obr. 5.11 je znĂĄzornÄna zesilujĂcĂ charakteristika zesilovaÄe vytvoĹenĂŠho ze tĹĂ zĂĄkladnĂch diodovĂ˝ch prvkĹŻ s diskrĂŠtnÄ rozloĹženĂ˝mi body zlomu. Z obrĂĄzku je patrno, Ĺže funkÄnĂ kĹivku nahrazujeme lomenou ÄĂĄrou a Ĺže chyba funkÄnĂho pĹevodu zĂĄvisĂ na vstupnĂm napÄtĂ. NejvÄtĹĄĂ chyba je v bodech zlomu.