 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
V rozsahu tohoto uÄebnĂho textu (a poĹžadavkĹŻ na zkouĹĄku z pĹedmÄtu Elektronika) nenĂ moĹžnĂŠ probĂrat detailnÄ jednotlivĂŠ typy zesilovaÄĹŻ. SpokojĂme se s tĂm, Ĺže si popĂĹĄeme v souÄasnosti nejpouĹžĂvanÄjĹĄĂ zesilovaÄ, a tĂm je operaÄnĂ zesilovaÄ. V prĹŻbÄhu tohoto popisu si budeme muset vysvÄtlit jednotlivĂŠ souÄĂĄsti tohoto zesilovaÄe a tĂm se dotkneme i pojmĹŻ jako je zpÄtnĂĄ vazba, diferenciĂĄlnĂ zesilovaÄ a vĂ˝konovĂ˝ zesilovaÄ. Popis tÄchto pojmĹŻ vĹĄak uvĂĄdĂm jen pro zvĂdavĂŠ posluchaÄky a posluchaÄe a nebude poĹžadovĂĄn pĹi zkouĹĄce.
V souÄasnosti je naprostĂĄ vÄtĹĄina operaÄnĂch zesilovaÄĹŻ vyrĂĄbÄna jako integrovanĂ˝ obvod. IntegrovanĂ˝m obvodem rozumĂme elektronickĂŠ zapojenĂ provĂĄdÄjĂcĂ urÄitou funkci buÄ analogovĂŠho (pĹĂkladem je prĂĄvÄ operaÄnĂ zesilovaÄ nebo jinĂ˝ druh zesilovaÄe, stabilizĂĄtor napÄtĂ, stereofonnĂ dekodĂŠr, obvod pro detekci a zpracovĂĄnĂ barevnĂŠho signĂĄlu v televizi apod.) nebo ÄĂslicovĂŠho charakteru (mikroprocesor, pamÄti, registry apod.), kterĂŠ je umĂstÄno na jedinĂŠm Äipu, tj. na jedinĂŠ destiÄce kĹemĂku. RozliĹĄujme prĂĄvÄ definovanĂŠ integrovanĂŠ obvody a hybridnĂ obvody, kde je v jednom pouzdĹe umĂstÄno nÄkolik rĹŻznĂ˝ch souÄĂĄstek a ÄipĹŻ, tj. hybridnĂ obvody nejsou na jedinĂŠm Äipu (ale jsou takĂŠ v jednom pouzdĹe). TypickĂ˝m pĹĂkladem hybridnĂho obvodu je operaÄnĂ zesilovaÄ s pĹesnÄ nastavenĂ˝m zesĂlenĂm, kde v jednom pouzdĹe je Äip operaÄnĂho zesilovaÄe a dva pĹesnĂŠ tenkovrstvĂŠ odpory a tyto tĹi souÄĂĄstky jsou vzĂĄjemnÄ propojeny. VĂ˝hoda integrovanĂ˝ch obvodĹŻ tkvĂ jednak v nesmĂrnÄ efektivnĂm vyuĹžitĂ plochy Äipu (mikroprocesor Pentium obsahuje ekvivalent asi tĹĂ milionĹŻ tranzistorĹŻ na Äipu s plochou nÄkolika cm2), jednak v tom, Ĺže vĹĄechny souÄĂĄstky stejnĂŠho typu (napĹ. vĹĄechny tranzistory MOSFET) jsou vyrobeny v jednom technologickĂŠm procesu a majĂ tedy prakticky shodnĂŠ parametry. VĂ˝hodou je i to, Ĺže celĂ˝ Äip je prakticky na stejnĂŠ teplotÄ a tedy teplotnĂ drifty souÄĂĄstek je moĹžnĂŠ povaĹžovat za prakticky shodnĂŠ (prĂĄvÄ konstatovanĂ˝ fakt vĹĄak nemusĂ bĂ˝t vĹždy pravdou, zejmĂŠna tehdy, jsou-li na jednom Äipu umĂstÄny i vĂ˝konovĂŠ souÄĂĄstky; pak vznikajĂ i v jedinĂŠm Äipu velmi strmĂŠ gradienty teploty).
Abychom mÄli pĹedstavu alespoĹ o technologii vĂ˝roby integrovanĂ˝ch obvodĹŻ, popĂĹĄeme si nynĂ standardnĂ technologii vĂ˝roby vyuĹžĂvajĂcĂ teplotnĂ difuze a fotolitografie. ĹĂkĂĄ se jĂ planĂĄrnĂ technologie, neboĹĽ vyrobenĂŠ aktivnĂ i pasivnĂ prvky leŞà v rovinÄ povrchu Äipu.
|
|
|
|
|
|
|
|
|