Když má povrch málo kyslíku

Student: Štefan Evin
Vedoucí: RNDr. Peter Matvija, Ph.D.
Stav projektu: dokončený

Anotace:

Oxid ceru je dobře známý a široce používaný materiál díky své schopnosti snadno ukládat a následně uvolňovat kyslík [1]. Tato vlastnost ho předurčuje k využití v různých katalytických aplikacích (oxidace CO, water-gas-shift, reforming uhlovodíků …), kde slouží jako aktivní substrát pro katalyticky aktivní kovy jako jsou platina, rhodium, nikl a zlato [2, 3].

Jelikož většina metod povrchové fyziky vyžaduje elektrickou vodivost vzorků a objemový oxid ceru je izolant (band gap přibližně 6 eV), v modelových studiích se místo monokrystalického oxidu ceru používají tenké epitaxní vrstvy oxidu ceru na kovech s vhodnými vlastnostmi (například Cu nebo Ru [1, 4]). Na takto připravený povrch se deponují katalyticky aktivní kovy, jejichž katalytická aktivita je podpořena přítomností oxidu ceru.

V rámci projektu se student seznámí s metodami STM (skenovací tunelová mikroskopie), AFM (mikroskopie atomárních sil), XPS (rentgenová fotoelektronová spektroskopie) a LEED (difrakce nízkoenergetických elektronů). Těmito metodami se pokusíme charakterizovat vliv stechiometrie monokrystalického povrchu oxidu ceru na růst platinových klastrů.