Školitel: Ing. Pavel Jelínek, Ph.D., Fyzikální ústav AVČR
Konzultant: Ing. Vladimír Cháb, CSc., Fyzikální ústav AVČR
Stav práce: volná
Anotace:
Současný rozvoj rastrovacích mikroskopů pracujících v ultravysokém vákuu umožňuje provádět měření atomárních sil a tunelovacích proudů na jednotlivých atomech či molekuách na povrchu pevné látky. Možnost současného měření atomárních sil a tunelovacího proudu otvírá zcela nové možnosti pro charakterizaci povrchů a nanostruktur na atomární úrovni. Cílem této práce je osvojení si práce s mikroskopem atomárních sil a rastrovacím tunelovacím mikroskopem pracujícím ve vysokém vákuu. V rámci studia provádět studium atomární a elektronové struktury vybraných molekul na povrchu pevných látek. Bude studována možnost manipulace jednotlivých molekul do organizovaných celků.
Předpokládané znalosti:
- základní znalost kvantové mechaniky a fyziky povrchů pevných látek,
- základní znalost rastrovacích mikroskopů.
Literatura:
A. Zangwill, Physics at Surfaces, Cambridge Press, 1988.
F.J. Giessibl, Rev. Mod. Phys. 75, 949 (2003).
C. J. Chen Introduction to Scanning Tunneling Microscopy, Oxford University Press, 2008.
Current development of Ultra-High Vacuum Scanning Probe Microscopy (UHV-SPM) allows simultaneous measurements of atomic forces and tunneling current over a single atom or molecule on surfaces. The possibility of simultaneous acquisition of atomic forces and the tunneling current opens new possibilities in characterization of surfaces and nanostructures at atomic scale. Objective of this work is to adopt skills to operate UHV-SPM and perform advanced studies of atomic and electronic structures of selected molecules on surfaces. Possibility of forming assembled patterns by means of single-molecule manipulation will be examined.