Školitel: Doc. RNDr. Pavel Sobotík, CSc.
Stav práce: volná
Anotace:
Téma práce vychází z nejnovějších experimentálních prací zabývajících se depozicí atomů a molekul na povrchy Si(100) i Si(111). Rozvoj epitaxních ultravakuových technik nyní umožňuje vysokou úroveň řízení růstu vrstev a dovoluje definovanou přípravu struktur, které mají neobvyklé vlastnosti - zejména se jedná o útvary s velmi malým jedním či více rozměry - kvantové struktury. Velké úsilí se věnuje přípravě plošně uspořádaných nanostruktur - soustav tzv. kvantových drátů a kvantových teček - a to využitím samoorganizovaného chování atomů a molekul v průběhu růstu. Cílem práce je definovaná příprava jedno- a dvou-dimenzionálních nanostruktur, přičemž jejich struktura bude charakterizována pomocí STM buď přímo během jejich růstu nebo bezprostředně po jejich přípravě. Bude rovněž studována současná nebo postupná depozice dvou či více různých materiálů a vliv parametrů depozice na strukturu vznikajících objektů. Nedílnou součástí bude charakterizace lokální hustoty stavů těchto objektů pomocí rastrovací tunelové spektroskopie (STS).