Školitel: Doc. RNDr. Ivan Ošťádal, CSc.
Konzultant: Doc. RNDr. Pavel Sobotík, CSc.
Stav práce: volná
Anotace:
Růst nanostruktur tvořených atomy kovů, plovodičů nebo organickými molekulami na polovodičovém substrátu (Si) je v současnosti důležitým předmětem základního i aplikovaného výzkumu. Objekty obsahující malý počet atomů (kvantové tečky, dráty) jsou pro své „kvantově-mechanické“ vlastnosti intenzivně studovány jako potenciální prvky elektronických obvodů pracujících na nových principech, i z hlediska možného využití v optoelektronice, katalýze či dalších aplikací v rámci nanotechnologií. Pro vytváření uspořádaných polí velkého počtu nanoobjektů (teček a nanodrátů) je důležitý samoorganizovaný, spontánní růst na rekonstruovaných površích, které vytvářejí pro nukleaci a růst přirozenou předlohu. Při experimentálním studiu růstu se využívá lokální zobrazení povrchu s atomárním rozlišením pomocí rastrovací tunelové mikroskopie (STM).
Téma je zaměřeno na cílené vytváření pravidelných a stabilních struktur resp. rekonstrukcí s různou symetrií na površích křemíku a jejich studium pomocí STM. Pro modelovou přípravu teras s různou orientací bude využito modifikace povrchu Si pomocí iontového bombardu a následného žíhání křemíkového substrátu. Experimenty mohou být rozšířeny o zkoumání povrchových rekonstrukcí křemíku obsahujících atomy kovů. Cílem práce je studium podmínek a povrchových mechanismů při vzniku strukturovaných povrchů. Získané výsledky přispějí k poznání procesů důležitých pro řízenou přípravu povrchů v křemíkových nanotechnologiích.
Předpokládané znalosti:
VŠ studium oboru s fyzikálním zaměřením, znalosti z oblasti fyziky kondenzované fáze jsou výhodou.