Školitel: Doc. RNDr. Pavel Sobotík, CSc.
Konzultant: Doc. RNDr. Ivan Ošťádal, CSc.
Stav práce: volná
Anotace:
Téma práce vychází z nejnovějších experimentálních prací zabývajících se depozicí atomů a molekul na povrchy Si(100) i Si(111). Rozvoj epitaxních ultravakuových technik nyní umožňuje vysokou úroveň řízení růstu vrstev a dovoluje definovanou přípravu struktur, které mají neobvyklé vlastnosti - zejména se jedná o útvary s velmi malým jedním či více rozměry - kvantové struktury. Velké úsilí se věnuje přípravě plošně uspořádaných nanostruktur – soustav tzv. kvantových drátů a kvantových teček - a to využitím samoorganizovaného chování atomů a molekul v průběhu růstu. Velký zájem je v poslední době věnován problematice epitaxního růstu některých vybraných organických molekul, zejména v souvislosti s jejich využitím pro LED diody, FET tranzistory a solární články.
Cílem práce je definovaná příprava jedno- a dvou-dimenzionálních nanostruktur, přičemž jejich struktura bude charakterizována pomocí STM buď přímo během jejich růstu nebo bezprostředně po jejich přípravě. Bude studována současná nebo postupná depozice dvou či více různých kovů a vliv parametrů depozice na strukturu vznikajících objektů. Nedílnou součástí bude charakterizace lokální hustoty stavů těchto objektů pomocí rastrovací tunelové spektroskopie (STS).
Předpokládané znalosti:
VŠ v oboru