Student: Jan Pudl
Školitel: Doc. RNDr. Pavel Sobotík, CSc.
Konzultant: Doc. RNDr. Ivan Ošťádal, CSc.
Stav práce: přerušená
Abstrakt:
Téma práce vychází z nejnovějších experimentálních prací zabývajících se depozicí kovů na povrch Si(100). Rozvoj epitaxních ultravakuových technik nyní umožňuje vysokou úroveň řízení růstu vrstev a dovoluje definovanou přípravu struktur, které mají neobvyklé vlastnosti - zejména se jedná o útvary s velmi malým jedním či více rozměry - kvantové struktury. Velké úsilí se věnuje přípravě plošně uspořádaných nanostruktur – soustav tzv. kvantových drátů a kvantových teček - a to využitím samoorganizovaného chování atomů v průběhu růstu.
Cílem práce je definovaná příprava jedno- a dvou-dimenzionálních kovových nanostruktur, přičemž jejich struktura bude charakterizována pomocí STM buď přímo během jejich růstu nebo bezprostředně po jejich přípravě. Bude studována současná nebo postupná depozice dvou či více různých kovů a vliv parametrů depozice na strukturu vznikajících objektů. Bude rovněž zkoumána lokální elektronová struktura těchto objektů pomocí STS.
Literatura:
Methods of Experimental Physics, Volume 27, Scanning Tunneling Microscopy, ed. by J.A.Stroscio,W.J.Kaiser, Academic Press 1993
Islands, Mounds and Atoms, T.Michely, J.Krug, Springer-Verlag Berlin Heidelberg 2004
Semiconductor Surfaces and Interfaces, W.Mönch, Springer-Verlag Berlin Heidelberg 2001
Crystal Growth for Beginners, I.V.Markov, World Scientific Publishing Co. Singapore 1998