Student: Matvija Peter
Vedoucí: RNDr. Pavel Kocán, Ph.D.
Konzultant: Doc. RNDr. Pavel Sobotík, CSc.
Stav práce: obhájená
Abstrakt:
Zásady pro vypracování
1) Osvojení techniky přípravy vrstev pasivujících povrch Si.
2) Depozice malého množství adsorbátu (atomů kovu a jednoduchých organických molekul) na povrchy před a po pasivaci, následné studium systému pomocí STM.
3) Studium dynamiky systému adsorbát - pasivovaný povrch pomocí STM, navržení fyzikálního modelu.
Seznam odborné literatury
[1] Eckertová L.: Physics of Thin Films, Plenum Press, NY 1986.
[2] Bai, C.: Scanning tunneling microscopy and its Application, Springer Series in Surf. Sci. 32, Berlin-Heidelberg, New York 1992.
[3] Články v odborných časopisech podle doporučení vedoucího práce.
Předběžná náplň práce
Povrchy polovodičů jsou charakteristické vysokou koncentrací nenasycených vazeb. Ty tvoří silnou vazbu s většinou adsorbátu deponovaného na tento povrch. Na druhou stranu je substrát Si klíčový z hlediska technologického. Pro případné samo-uspořádání adsorbátu do aplikovatelných nanostruktur (dráty, kvantové tečky...) je často silná vazba s podložkou překážkou. Nenasycené vazby lze odstranit pasivací povrchu - např. monovrstva Tl plně saturuje povrchové vazby a deponovaný materiál se může snáze spontánně uspořádávat.
Cílem práce je studovat možnosti pasivace povrchu, především Si(111), a porovnat dynamiku vybraného adsorbátu s povrchem před a po pasivaci. Výsledky práce budou publikovatelné v odborných časopisech.