Epitaxe na površích křemíku.

Student: Martin Švec
Vedoucí: RNDr. Pavel Sobotík, CSc.
Stav práce: obhájená

Abstrakt:
Studium orientovaného růstu kovů je jednou z klíčových oblastí materiálového výzkumu s přímým dopadem na mikroelektronické technologie. Definovaná příprava 2D a 1D struktur a kvantových teček (umělých atomů) je nutnou podmínkou pro řízené vytváření kvantových elektronických prvků o rozměrech desítek nm. Technika STM (rastrovací tunelová mikroskopie) v posledním desetiletí nesmírně rozšířila poznatky o kinetice procesů růstu na površích v atomárním měřítku. STM umožňuje zobrazit atomární detaily vznikající vrstvy a zároveň podat informaci o morfologii poměrně rozsáhlých oblastí.

• Příprava vzorků napařením Al resp. jiného kovu na Si(111) 7x7 povrch při různých teplotách, napařovacích rychlostech a pokrytích.
• Studium morfologie vzorků (po přípravě i během napařování) pomocí UHV STM. Vyhodnocení získaných dat, charakterizace procesů probíhajících během růstu.

Během práce se diplomant naučí připravovat vrstvy vakuovým napařováním a zvládne techniku STM. Téma je součástí rozsáhlé experimentální práce zaměřené na studium heteroepitaxe kovů na površích křemíku a počítačové simulace prováděné ve skupině tenkých vrstev na KEVF MFF UK. K dispozici jsou dva ultravakuové STM systémy - pro přípravu vrstev při pokojové a vyšších teplotách, resp. pro přípravu a měření vzorků v rozmezí teplot 100-400 K.