Studium reaktivity povrchů v závislosti na jejich struktuře.

Student: Ivan Karas
Vedoucí: Matolín, Vladimír
Konzultant: Veltruská, Kateřina, Mašek, Karel
Stav práce: obhájená

Abstrakt:
Metoda difrakce fotoelektronů je založena na principu měření úhlové závislosti intenzity fotoelektronových linií elektronů emitovaných z monokrystalických povrchů v důsledku jejich ozáření monochromatickým rtg. zářením. Je TO metoda rozvíjející se teprve v posledních letech a přINášející unikátní informace o struktuře povrchů s prvkovým rozlišením. Metoda umožňuje studovat povrchové uspořádání vybraných atomů. Zkoumané vzorky jsou umístěny v UHV komoře na manipulátoru tak, že je jimi možno otáčet a tím měnit polární a azimutáLNí úhel fotoeletronů detekovaných analyzátorem spektrometru XPS. Pohyby jsou řízeny počítačem prostřednictvím krokových motorů a v každé poloze jsou automaticky snímána zvolená spektra. Měření budou probíhat na spektrometru OMICRON EA 125 na katedře EVF a na měřící stanici optické dráhy MSB synchrotronu Elettra v Terstu. Výsledky měření struktury metodou XPD budou porovnávány s výsledky získanými z reflexní difrakce rychlých elektronů (RHEED) na katedře EVF a difrakce pomalých elektronů (LEED) v Terstu. Cílem porovnávacích měření bude přispět k pochopení a interpretaci dat XPD.

Cu1Cu2
Příklad XP difraktogramu povrchu Cu(001), Obrázek představuje uhlovou závislost intenzity linie Cu 3p3/2 excitovanou zářením Mg Ka, měřeno analyzátorem OMICRON EA 125.