Student: Jakub Hnilica
Vedoucí: Doc. RNDr. Ivan Ošťádal, CSc.
Stav práce: přerušená
Abstrakt:
Práce se zabývá studiem adsorpce při depozici kovů na anizotropní povrch křemíku s orientací (100) a rekonstrukcí 2×1 a následným vznikem a růstem jednorozměrných (1D) ostrůvků – atomárních řetízků kovu. Uvedené nanostruktury (kvantové dráty) mohou být stavebními prvky pro složitější systémy s potenciálním využitím v různých oblastech nanotechnologií. Rastrovací tunelová mikroskopie (STM) je technikou, která umožňuje studovat povrchové struktury a procesy s atomárním rozlišením přímo během nanášení kovu v podmínkách ultravakua. Práce vychází ze zkušeností získaných při studiu růstu Ag a In na povrchu Si(100) 2×1 a zabývá se úvodními experimenty pro další kovy: Al, Ga.
Zásady pro vypracování
Úkoly práce jsou:
• příprava vypařovadel pro depozici Al a Ga,
• seznámení se s problematikou STM, podíl na přípravě experimentu
• zobrazení povrchu s různým množstvím naneseného kovu při pokojové teplotě, pokus o měření během depozice,
• vyhodnocení snímků z STM a stanovení základních charakteristik.
Seznam odborné literatury
1. Javorský J.: Studium heteroepitaxe kovů na povrchu Si(100) 2×1 pomocí STM, Diplomová práce, KEVF MFF UK, Praha, 2006
2. Eckertová L.: Physics of Thin Films, Plenum Press, NY 1986
3. Bai C.: Scanning Tunneling Microscopy and its Application, Springer Series in Surf.Sci.32, Berlin-Heidelberg, New York 1992.
4. Články v odborných časopisech podle doporučení vedoucího práce.