Student: Doležal Jiří
Vedoucí: Doc. RNDr. Ivan Ošťádal, CSc.
Konzultant: Doc. RNDr. Pavel Sobotík, CSc.
Stav práce: obhájená
Abstrakt:
Teplota křemíkového substrátu při vakuové depozici ovlivňuje pohyblivost atomů a společně s depoziční rychlostí kinetiku růstu a morfologii atomárních řetízků. Studium morfologie a získání růstových charakteristik s atomárním rozlišením pomocí skenovací tunelové mikroskopie (STM) pro různé podmínky růstu umožňují rekonstruovat scénář růstu a posoudit význam předpokládaných povrchových procesů pro růst. Práce se zaměří na růst atomárních řetízků india, které bylo dosud studováno pouze při pokojové a vyšších teplotách, kdy se mohou atomy od řetízků odpojovat a roste četnost kratších řetízků. Při nízkých teplotách se četnost odpojování sníží a zároveň poklesne i pohyblivost jednotlivých atomů india po povrchu a tím i pravděpodobnost jejich záchytu a nukleace řetízků na C-defektech. Lze očekávat podstatné ovlivnění kinetiky růstu, které může vést až ke kvalitativním změnám v růstových charakteristikách.
Úkoly práce:
1. Seznámení se s technikou STM a metodikou experimentu s depozicí Sn (In) na Si(100).
2. Příprava vzorků s pokrytím < 0.1 ML při několika teplotách menších než pokojová a získání zobrazení morfologie pomocí STM.
3. Zpracování dat z STM a získání růstových charakteristik.
4. Diskuse výsledků s ohledem na kinetiku růstu.
Experimentální část práce bude prováděna na ultravakuovém sytému pro přípravu a měření vzorků při různých teplotách. Výsledky práce budou důležité pro posouzení modelu růstu navrženého na základě vyhodnocení růstu při pokojové a výšších teplotách a jeho testování pomocí kinetických Monte Carlo simulací.
Literatura:
Chen C.J., Introduction to Scanning Tunneling Microscopy, Oxford Univ. Press, Oxford 1993, 2008.
Jakub Javorský, Early stages of indium growth on the Si(100) surface, Doktorská disertační práce, MFF UK v Praze, 2011.
Další literatura a články podle doporučení vedoucího práce.