Příprava anizotropního povrchu pro růst molekulárních drátů

Student: Zehnal Jan
Vedoucí: RNDr. Pavel Kocán, Ph.D.
Stav práce: obhájená

Abstrakt:

Využití organických molekul jako stavebních prvků budoucích elektronických součástek je lákavou vizí fyziky povrchů. Základním prvkem je „vodič“ — řetěz molekul schopný přenášet informaci (náboj, spin, konfiguraci). K samo-uspořádání molekul lze využít anizotropie povrchu krystalu: jedno-dimenzionální charakter povrchu má za následek spontánní růst molekulárních řetízků – drátů. Ideálním nástrojem pro studium povrchových nanostruktur na atomární úrovni je řádkovací tunelový mikroskop (STM). Úkolem posluchače bude připravit a zobrazit velmi dobře definovaný anizortorpní povrch s minimem defektů. Na takový povrch budou následně deponovány organické molekuly pro ověření růstu molekulárních drátů.

Úkoly:
1) Seznámit se s technikou STM.
2) Depozicí kovové vrstvy připravit anizotropní povrch krystalu Si(111) nebo Si(100).
3) Zobrazit tento povrch pomocí STM.
4) Zkušebně deponovat organické molekuly na tento povrch.

Obr. Molekula phthalocyaninu, schématické uspořádání těchto molekul na povrchu Si.

Literatura:
[1] Bai C.: Scanning Tunneling Microscopy and its Application, Springer Series in Surf.Sci.32, Berlin-Heidelberg, New York 1992.
[2] H. Neddermeyer: Scanning tunnelling microscopy of semiconductor surfaces, Reports Prog. Phys., vol. 59, no. 6, pp. 701, 1996.
[3] Články v odborných časopisech podle doporučení vedoucího práce.