Počítačové simulace charakteristik desorpce kovů z povrchu Si(111)

Student: Sikora Adam
Vedoucí: RNDr. Pavel Kocán, Ph.D.
Stav práce: obhájená

Abstrakt:

V případě desorpce některých kovů (Pb, In, Sn) z povrchů Si(111) a Ge(111) byl pomocí integrálních technik překvapivě pozorován nultý řád desorpce. Teoretické vysvětlení nultého řádu zde dosud chybí, neboť se zdá, že podmínky obvykle vedoucí k desorpci nultého řádu - vysoká difuzivita, existence 2D plynné fáze atd. - zde nemohou být splněny. Cílem práce bude pomocí kinetických Monte Carlo simulací najít parametry, pro které ještě desorpce vykazuje nultý řád. Počítačové simulace budou doplněny kontrolním experimentem za využití řádkovacího tunelového mikroskopu (STM).

Zásady pro vypracování
1) Detailní seznámení s metodou Monte Carlo a problematikou desorpce kovů z povrchu Si(111).
2) Vývoj počítačového kódu pro simulaci desorpce.
3) Hledání podmínek vedoucích k experimentálně pozorované desorpci nultého řádu.

Seznam odborné literatury
[1] Eckertová L.: Physics of Thin Films, Plenum Press, NY 1986.
[2] Kotrla M.: Comp. Phys. Communication 97, 82 (1996).
[3] Články v odborných časopisech podle doporučení vedoucího práce.