Teoretické výpočty stability a elektronové struktury povrchů Si

Student: Ondřej Krejčí
Vedoucí: RNDr. Pavel Kocán, Ph.D.
Konzultant: Ing. Pavel Jelinek, Ph.D. (FZÚ AV ČR)
Stav práce: obhájená

Abstrakt:

Orientované povrchy Si(100) a Si(111) jsou hojně studovány jako substráty pro růst dobře definovaných nanostruktur. Studium je motivováno možností technického využití modifikovaných povrchů s novými elektronickými vlastnostmi, které by byly slučitelné se stávající křemíkovou technologií. Využití počítačové simulace na bázi funkcionálu hustoty umožňuje podrobnou analýzu takových povrchů.

Oriented surfaces Si(100) and Si(111) are widely used as substrates for growth of well defined nanostructures. The study is motivated by possibility of technological use of modified surfaces with novel electronic properties consistent with recent silicon technology. Use of computer simulation based on density functional theory allows detailed analysis of these surfaces.

Zásady pro vypracování
1) Osvojení si problematiky výpočtů atomární a elektronové struktury pomocí metody funkcionálu hustoty.
2) Práce s výpočetním programem Fireball pro výpočty elektronové a atomární struktury molekul a pevných látek.
3) Studium vybraných rekonstrukcí povrchů Si(100) a Si(111) - výpočet elektronové a atomární struktury, posouzení stability testovaných modelů
4) Určení vlivu vybraného adsorbátu na elektronovou strukturu povrchu Si.

Seznam odborné literatury
1. I. Nezbeda, J. Kolafa, M. Kotrla, Úvod do počítačových simulací: Metody Monte Carlo a molekulární dynamiky, Karolinum 2003
2. W.Koch, M.C. Holthausen, A Chemist's Guide to Density Functional Theory, Wiley-VCH (2002), ISBN 3-527-30422-3
3. Solid State Physics G. Grosso, G. P. Parravicini Academic Press (14 Feb 2000) ISBN-10: 012304460X