Určení teploty desorpce thallia z povrchu Si(111) pomocí řádkovací tunelové mikroskopie (STM)

Vedoucí: RNDr. Pavel Kocán, Ph.D.
Stav projektu: volný

Anotace:

Cílem práce bude použitím atomárně rozlišené techniky řádkovací tunelové mikroskopie studovat povrch Si(111) s deponovanou monovrstvou thallia, zahřátý na teplotu blízkou desorpci Tl. Předpokládá se, že z různých atomárních pozic desorbuje Tl při různé teplotě a různou rychlostí. Pozorované struktury jsou výsledkem především procesu desorpce.

Thallium je nejtěžším prvkem IIIA skupiny periodické tabulky, což se projevuje na chemických vlastnostech Tl jako tzv. relativistický efekt inertního páru elektronů (inert pair effect). Díky tomuto efektu se v přírodě Tl vyskytuje jak trojmocně, tak jednomocně vázané. Objev rekonstrukce 1x1 Tl na Si(111), ve které je Tl pravděpodobně jednomocné, probudil velký zájem o tento kov v oblasti nanostruktur.