Obr.: povrch Si(111) s částečně desorbovanou vrstvou thallia atomárně zobrazený pomocí řádkovacího tunelového mikroskopu (STM). 1/1 - část povrchu s původní vrstvou, 1/3 - desorbovaný povrch se zbylou třetinou Tl vrstvy.
Vedoucí: RNDr. Pavel Kocán, Ph.D.
Stav práce: volná
Anotace:
Zásady pro vypracování
1) Seznámení se s metodou Monte Carlo a problematikou desorpce z orientovaných povrchů.
2) Vývoj počítačového kódu pro simulaci desorpčních procesů.
3) Aplikace modelu na případ strukturních změn při desorpci thallia z povrchu Si(111).
Seznam odborné literatury
[1] Eckertová L.: Physics of Thin Films, Plenum Press, NY 1986.
[2] Kotrla M.: Comp. Phys. Communication 97, 82 (1996).
[3] Články v odborných časopisech podle doporučení vedoucího práce.
Předběžná náplň práce:
Povrchy krystalu s deponovanými tenkými vrstvami jsou výchozím bodem budoucích elektronických prvků. Řada strukturních změn na těchto površích je ovlivněna nebo přímo řízena termální desorpcí atomů z povrchu. V různých strukturách mohou mít atomy různou vazebnou energii, tyto energie určují dynamiku povrchu.
Cílem práce bude navrhnout a naprogramovat jednoduchý (toy) model pro první odhady vlivu desorpčních procesů na vznik povrchových struktur. Hlavní technikou bude kinetické Monte Carlo, založené na náhodných procesech.
Pro testování modelu budou použita data získaná na pracovišti pomocí řádkovacího tunelového mikroskopu (STM). Výsledky práce budou přímo publikovatelné, na práci je možné navázat prací diplomovou.